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          立足先進技術 打造國際領先封裝企業

                江蘇長電科技股份有限公司(簡稱長電科技)是集成電路封測產業鏈技術創新戰略聯盟理事長單位,中國領先的半導體封裝測試生產基地,為客戶提供芯片測試、封裝設計、封裝測試等全套解決方案,榮獲國家重點高新技術企業、中國電子百強企業、中國半導體十大領軍企業等稱號,擁有國家級企業技術中心、博士后科研工作站和我國第一家高密度集成電路國家工程實驗室。其為客戶所生產的產品涵蓋4C(計算機、通信、消費電子、汽車電子)等廣泛的應用領域。2009年,長電科技營收已達3.5億美元,已躋身全球封測排名第八,為中國內資第一大封測廠。
          力爭全球前五
            隨著經營環境的持續轉暖,加上國內調結構與促消費宏觀政策環境的推動,今年上半年國內半導體產業面臨大好的發展機遇,出現了難得的強勁復蘇勢頭。上半年長電科技訂單充足,經營業績成為主板上市公司中一道靚麗的風景。2010年上半年凈利潤大幅度增長,預計第三季歸屬母公司凈利潤同比增長145倍至156倍。
                 與此同時,長電科技在技術水平、經營策略和市場開拓等方面也取得了長足進步。一方面生產規模有了較大的提升,經濟效益顯著增長;另一方面產品結構、工藝水平、技術創新等方面也實現了跨越式發展,進一步縮小了與國際大廠的差距。主要表現在:一是長電科技躋身全球封測業排名第八位;二是主要依托長電科技為主體的集成電路封測產業鏈技術創新戰略聯盟建立并在國家重大科技項目的創新活動中發揮出積極作用;三是國家唯一的“高密度集成電路封裝技術國家工程實驗室”在長電科技建立;四是長電科技控股子公司長電先進被德州儀器評為全球優秀供應商,越來越多的國際大企業與長電科技開展多項技術合作。
            長電科技下一步發展構想是培育具有公司自主知識產權的核心競爭力,在國際先進封測技術方面求得突破,進入世界封裝行業的先進行列,實現公司技術轉型升級,在先進封裝核心技術和關鍵工藝方面達到世界先進水平。長電科技的具體目標有兩個:一是營業規模進入世界封測行業排名前五名;二是有2~3項封裝技術創新成果,能成為國際主流封裝技術。
          基本掌握九大核心技術
            集成電路行業是一個典型的資本技術雙密集型行業。在整體技術水平上,國內封測行業仍以DIP、SOP、SOT等傳統的中低端封裝形式為主,與國際先進水平仍存在較大差距,難以滿足國內設計和芯片制造行業發展的要求!笆濉笔菄艺{整經濟結構和發展新興戰略性產業的重要時期,也是長電科技創新轉型發展的重要階段。
            通過引進、消化吸收國外先進封裝技術,以及多年的技術沉淀與持續研發,如今的長電科技在IC封裝領域已基本掌握九大核心技術,與國際封測主流技術同步發展。這些技術包括:硅穿孔(TSV)封裝技術、SiP射頻封裝技術、圓片級三維再布線封裝工藝技術、銅凸點互聯技術、高密度FC-BGA封測技術、多圈陣列四邊無引腳封測技術(MIS)、封裝體三維立體堆疊封裝技術;50μm以下超薄芯片三維堆疊封裝技術、MEMS等新興產品封測技術。
            長電科技WL-CSP、TSV、SiP三大主流技術已與世界先進水平接軌。在SiP封裝上,長電科技已占據國內絕對領先地位,接近國際先進水平,減薄技術達到25μm,堆疊可達8層以上,焊線距離小到35μm,包括低弧度打線等。長電科技的射頻器件封裝設計能力也很強,WLCSP封裝技術國際領先,規模已進全球前三。世界上體積最小的影像傳感器(CIS)已在長電科技生產,12英寸圓片級封裝也已經批量生產,銅柱凸塊技術也已進入小批量生產,該技術將在全球流行。另外,長電科技有很多四邊無引腳多圈封裝(又稱高腳位QFN)專利,已申請了500多項專利,其中一半是發明專利。目前,長電科技正組織技術團隊抓緊新型封裝技術MIS的研究與開發,并盡快使該技術產業化。很多國際大公司都非?春眠@個產品,已經開始和長電科技展開合作。這一技術項目一旦實現規;a,將是長電科技對世界半導體產業作出的又一貢獻。
            長電科技創新的腳步仍在繼續。它對QFN/MIS/MIS-PP產品線的研發有著更長遠的計劃,未來將提供客戶多元化設計所需要的選擇與具有競爭力的性價比。憑借新工藝能力的延伸,長電科技產品路線除現有的模擬產品(主要為電源管理系列)封裝測試以外,將逐漸拓展至混合信號與主芯片產品的代工業務。
            對新一代產品的市場推廣,長電科技計劃于2010年第四季度展開。對于現有BGA/QFP等高腳數I/O的產品與整合型模塊(如電源模塊將控制芯片與功率器件加以整合),將是極力推廣的重點,其產品的應用是沒有限制與區隔的,市場前景可期。
          MIS封裝獨具特色
            每一項技術的進步,都凝聚著長電人不懈的努力和智慧的汗水,讓長電人特別引以為豪的是MIS,該技術能夠將目前IC封裝主流技術QFN/DFN系列產品工藝提升至新水平,拓展至新領域,與傳統QFN/DFN、QFP和BGA等技術相比較,MIS具有諸多優點。
            在MIS的技術優勢基礎上,長電科技還有能力將所擁有的Flip Chip與銅線工藝技術,以及自主框架設計和生產能力加以整合,進一步縮短產品開發周期,提升競爭力。具體而言有三大優勢:一是可使產品實現小外形、高密度,節省材料,提高生產效率;二是扇入扇出內外引腳互聯技術,大大節約金線使用量;三是配合以基板為基礎的SiP封裝測試服務,對于高密度與高傳輸速率的高階封裝制程與需求以及具備異質整合特性的封裝需求都能加以支持,從而讓IC在輕薄短小之余,還可擁有強大的效能。這些市場與產業趨勢將持續推升封裝業在產業供應鏈中的地位。目前長電科技市場布局已由本土客戶群漸漸擴充至歐美日韓以及我國臺灣地區的國際領先企業(包括IDM和Fabless)。
            長電科技致力于創新的封裝技術開發,以期能成為國際主流的封裝技術創新者。目前,長電科技在MIS上的新工藝制程開發已有突破性進展,基于新封裝技術的產品可靠性皆符合業界的標準需求,同時提供客戶端對于產品“Time to market”以更佳彈性的配合。
          正因長電科技在創新封裝技術上的持續開發,公司目前在QFN系列產品方面品種齊全,并有良好的生產經驗。對于MIS的新工藝開發,除沿用現有的生產設備外,更重要的是具有引線框的設計與制造能力,向客戶提供從封裝設計到產品終測的全面“Turnkey service”。      (偉 文)
          MIS封裝技術簡介
            微電子技術在經歷了幾十年的發展,勢頭依然不減。集成電路特征尺寸正在快速向幾個原子大小逼近。同時,大量系統級集成技術開發出來并得以實用。這一切延續了著名的摩爾定律的繼續有效,即每18個月芯片集成度提高1倍。由此,便催生了現代無線通信、互聯網等大量新興技術和產業,改變了人類生活和社會的每一個細小方面和環節。反之,各種電子系統及產品的大量普及應用又對微電子技術提出了更多更高的要求。最為典型的例子就是近年來異軍突起的智能手機。隨著電腦、電視、游戲、定位等功能不斷被組合進手機中,智能手機中的芯片數量急劇增加、功能不斷增強,對芯片的微型化、多功能化、復雜化、高速化和低成本提出了極大挑戰,也對封裝技術提出了新的要求。目前,封裝技術應對智能手機等微電子產品快速發展基本上是漸進式的,通過對10多年前的BGA、QFN和SiP封裝的不斷改良和組合發展來適應芯片封裝的要求。雖然卓有成效,但在很大程度上也遲滯了電子產品技術的發展步伐,阻礙了最新芯片設計的實用化。時代呼喚全新的封裝技術的誕生。
            長電科技順應微電子技術新潮流,成功開發出獨創的革命性新一代MIS封裝技術,實現了芯片封裝的微型化、高密度、高性能、多功能和低成本的新突破。MIS封裝的開發成功將為眾多芯片技術提供全新的封裝解決方案,促進各種電子產品的跨越式進步。
            全新MIS封裝性能優勢包括:
            ●首次在框架封裝產品上實現扇入和扇出設計,極大提高封裝設計的靈活性,顯著減少金線的用量;
            ●支持多圈及全陣列外引腳設計,極大地延伸了QFN封裝的引腳數,I/O數由目前的100多增加至500左右;
            ●外引腳支持BGA植球功能,改善SMT良率和產品可靠性;
            ●細線能力達到15微米線寬及線距;
            ●細微的尺寸帶來超小超薄的封裝;
              ●兼容芯片倒裝(FC)、COL、芯片堆疊及POP等各種封裝技術;
            ●與現有QFN和BGA實現Pin-to-Pin兼容;
            ●優良的框架材料和制作技術提高封裝良率及品質;
            ●優良的射頻(RF)及各種電學性能。
            MIS封裝技術規范:
               ●封裝尺寸最小1.0mm×0.6mm,最大15mmx15mm;
               ●最小封裝厚度0.4mm;
               ●最小外引腳尺寸0.2×0.2mm或φ0.2mm,最小外引腳間距0.4mm,可支持不規則外引腳形狀;
            ●最少I/O數2,最多I/O數500;
            ●最小線寬線距15μm/15μm;
            ●實心通孔,單層或雙層布線選擇;
            ●最小金線直徑18μm;
            ●可銅線焊線;
            ●達到MSL1(濕氣敏感性)水平;
            ●多種表面鍍選擇(PPF,NiAu,OSP)。
           
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